比較終采用的是硅管倍頻方案，即用Si三極管作為振蕩器件，首先振蕩在X波段，然后通過倍頻放大將基波倍頻至Ku波段，再通過濾波器取出工作頻率。

　　這種方案的優(yōu)勢在于振蕩器起振容易，而且在X波段用Si三極管作為振蕩器件比常規(guī)FET的相位噪聲要好十幾個分貝，去除倍頻的相位噪聲損失（6dB），用倍頻的方式在Ku波段相位噪聲要比直接起振小10dB左右。另一個優(yōu)點是選用Si三極管作為振蕩器件，基波的相位噪聲余量加大，調(diào)試時可適當(dāng)加大介質(zhì)諧振器的耦合度，這樣不僅能夠減小調(diào)試難度，而且可解決高低溫下易停振的問題，這一點對批量生產(chǎn)非常有利。

　　采用計算機輔助設(shè)計，可優(yōu)化得出介質(zhì)振蕩器在基波振蕩時的輸入反射系數(shù)和輸出阻抗，如、所示。

　　用硅管倍頻方案也同樣帶來不利的一面，為濾除基波信號要在組件中增加相應(yīng)的高通濾波器，這無疑會加大體積，對排版帶來一定的難度；倍頻器要求輸入信號有一定的電平，要求在振蕩器和倍頻器之間要加一定增益的放大器，這肯定會增加整機的功耗和體積。

　　對上述不利的因素，采取下列措施：采用腔體高通濾波器，體積只有15@6@6mm3，對基波信號的抑制有80dB，帶內(nèi)插損只有0.3dB，能很好滿足使用要求。

　　選用HITTITE公司的HMC516單片放大器，其增益高（20dB），輸出動態(tài)大（P-1=17dBm），體積小（2@1@0.2mm3），作為倍頻器的推動級較為合適。

　　研制后，對本振支路的測試如下：相位噪聲<-94dBc/Hz/10kHz基波信號抑制70dB輸出功率18dBm從本振支路的研制過程看，調(diào)試較為簡單，高低溫試驗結(jié)果理想，成品率高，有利于今后的批量生產(chǎn)，達到了預(yù)期設(shè)計的目標。

　　基波振蕩的輸入反射系數(shù)基波振蕩的輸入阻抗4上變頻器的設(shè)計上變頻器的作用是將SAW-VCO產(chǎn)生的60MHz信號與本振信號f0變頻到f0-60MHz.由組件的電路功能框圖結(jié)合指標要求可看出，該上變頻器的重點是要提高其對本振信號的抑制，這樣可以減輕后面濾波器的壓力，變頻損耗可以由放大器來彌補。

　　微波上變頻器的電路形式繁多，仍可分為單端的和平衡的兩大類。這兩類微波混頻器都是由功率混合路、阻抗匹配電路、混頻二極管和中頻輸出電路等幾部分組成。在樣品的初樣階段，采用了常規(guī)的混合環(huán)平衡式上變頻器，其變頻損耗為8dB，而本振抑制只有20dB左右。該形式的上變頻器比較大的缺點是由于混合環(huán)的存在而造成體積較大。所以，組件比較終采用了單片集成上變頻器，型號為HMC205，由美國HITTITE公司生產(chǎn)。該芯片的變頻損耗為9dB，而本振抑制卻有28dB，芯片的體積只有0.5@0.5@0.1mm3，其缺點是對本振電平要求較高。無疑，采用單片集成上變頻器可以大大減小組件的體積和加大本振抑制，而本振50雷達與對抗電平的大小可以通過放大器放大給出。

　　濾波器設(shè)計組件主振端口雜波抑制要在60dBc以上，由于中頻頻率只有60MHz，而本振工作頻率為Ku波段，這就對濾波器提出了非常高的要求。采用特殊結(jié)構(gòu)實現(xiàn)高Q濾波器，在結(jié)構(gòu)和裝配上都是本課題的一個難點。
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　　常規(guī)微帶形式的濾波器因其介質(zhì)損耗大、Q值低而無法實現(xiàn)窄帶濾波器。

　　介質(zhì)濾波器的Q值較高，在樣機階段，研制出三腔介質(zhì)濾波器，但是其帶外抑制只有25dB，聯(lián)試主振支路的雜波抑制偏小。而且在濾波器的調(diào)試過程中，介質(zhì)的位置、介質(zhì)之間的耦合度都特別敏感，調(diào)試非常困難，成品率不高。

　　經(jīng)多次比較，組件比較終采用的是單腔雙膜式濾波器。該濾波器采用特殊的金屬材料，帶寬只有10MHz左右，帶外抑制可達55dB，帶內(nèi)插入損耗為7dB，中心頻率的高低溫變化只有2MHz，而且該濾波器的調(diào)試難度相對介質(zhì)濾波器來說不大，完全滿足使用要求。

　　使用單腔雙膜式濾波器帶來的困難是如何與主振部分的對接。經(jīng)多次試驗，不斷優(yōu)化整體結(jié)構(gòu)的設(shè)計，比較終將該濾波器與主振部分很好地相結(jié)合，主振部分的雜波抑制典型值為70dB，超過了合同的要求。
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