IGBT驅動保護電路的詳細的設計與如何測試
發布時間:2019-08-02 09:52:38來源:
1 引言 (歡迎來電咨詢 網址:http://www.cntjjp.com.cn 變頻器維修|電話:15515598858)
IGBT集功率MOSFET和雙極型功率晶體管的優點于一體,具有電壓控制、輸入阻抗大、驅動功率小、控制電路簡單、開關損耗小、通
斷速度快且通態壓降低,易高壓大電流等特點。
在IGBT的應用中,驅動和保護一直都是研究的關鍵技術,特別是過流保護方面。IGBT器件本身以及它 在電路中運行條件的特點,決定了其過流保護和其他開關器件相比有很大的差別。IGBT的過流保護電路直接關系到整個系統的工作性能和運行安全。
2 IGBT驅動電路
2.1 IGBT的開關特性
由圖1所示IGBT的等效電路和器件的內部結構可知,IGBT的開關控制是通過和MOSFET類似的柵極結構來完成的,因此IGBT和MOSFET的開關過程大致相似。圖2為IGBT硬開關時VGE、ICE和VCE的波型。開通時,當VGE達到開通門限后,到t2時間,ICE達到比較大值,VCE下降過程中,由于和MOSFET一樣的密勒電容CGC的作用,柵極電壓基本恒定,延緩了IGBT的開通過程,當VCE下降結束,ICE達到穩態值,CGC作用消失,VGE以較快的上升率達到比較大值。為了降低此效應,應該使柵極驅動源的內阻足夠小,增加流經CGC的電流,加快開通速度。
關斷時,同樣由于密勒電容的效應,當VCE上升的過程中,VGE有一段近似恒定的時間,影響關斷的過程。另外,由于IGBT是雙極性器件,在關斷過程中有一個少子復合過程,造成關斷時的拖尾電流,這是IGBT和MOSFET開關比較大的不同點,如圖2所示,這也是影響IGBT工作頻率的比較主要原因。
2.2 IGBT驅動電路的要求
2.2.1 開通正柵壓 (歡迎來電咨詢 網址:http://www.cntjjp.com.cn 變頻器維修|電話:15515598858)
IGBT靜態特性曲線所示,IGBT正柵壓VGE越大,導通電阻越低,損耗越小。但是,如果VGE過大,一但IGBT過流,會造成內部寄生晶閘管的靜態擎柱效應,造成IGBT失效。相反如果VGE過小,可能會使IGBT的工作點落入線性放大區,比較終導致器件的過熱損壞,比較理想的IGBT驅動電壓范圍是12V。
2.2.2 關斷柵壓選擇
IGBT的關斷過程可能會承受很大的dv/dt,伴隨關斷浪涌電流,干擾柵極的關斷電壓,可能造成器件的誤開通。為提高驅動電路的抗干擾能力,在關斷時柵極加適當的負偏壓,一般取為-10V。
2.2.3 柵極串聯電阻Rg的選擇
從IGBT的開關特性的分析可以看出,Rg直接影響IGBT的工作情況。為提高開關頻率,Rg取值應該盡量小。但如果Rg取值過小,會導致柵射極之間的充放電時間常數小,開通瞬間電流較大,從而損壞IGBT;而若Rg取值過大,雖然在抑制dv/dt方面很有效果,但增加了IGBT的開關時間和開關損耗,嚴重影響IGBT的性能和工作狀態。Rg的取值大概是十幾歐到幾百歐之間,具體的值應該根據應用的實際情況選取比較佳值。
3 驅動電路的保護
3.1 過流保護
3.1.1 過電流損壞原因
IGBT內部有寄生晶閘管,在規定漏極電流范圍內,其產生的正偏壓不足以使晶體管導通,當漏極電流大到一定程度,正偏壓足以使晶體管導通,近而使寄生晶閘管開通,柵極失去控制,發生擎柱效應。此時關斷無效,集電極電流很大致使IGBT損壞。當電流還未達到擎柱效應所需電流大小時,如果IGBT運行指標超過SOA所限定的電流安全邊界,也就工作在了過流狀態下,長時間過流運行造成很高的功耗,損壞器件。當比較嚴重的過流情況,短路發生時,電流很快達到額定電流的4-5倍,此時必須盡快關斷器件,否則器件將很快損壞。 (歡迎來電咨詢 網址:http://www.cntjjp.com.cn 變頻器維修|電話:15515598858)
3.1.3 過電流的處理
根據IGBT的靜態特性,當發生過流時,VCE會隨電流急劇變大,可以通過檢測VCE的大小來判斷是否過流。當檢測到過流發生時,首先采取降柵壓措施,從圖3的靜態特性曲線可知,柵壓降低以后,電流顯著減小。這樣一方面可以保護器件,另一方面如果確定是短路需要關閉器件時,不用在相當大電流的基礎上執行關斷,反而引入di/dt的問題。當降柵壓運行一段時間后(一般是10 ),如果電流恢復正常,可以再加上正常的柵壓。這樣可以有效避免假過流造成的誤保護。但如果電流仍然處于過流的狀態,可以判斷是短路故障,應該馬上對IGBT進行關斷。此時絕對不能快速關斷,因為短路時電流非常大,直接關斷會在線路寄生電感上產生很大的電
壓,進而損壞器件。此時應該保證電流變化率不會過大,讓柵極電壓緩慢降低關斷器件。
3.2 柵極過壓的保護
3.2.1 柵極過壓原因
IGBT大多是工作于感性負載狀態,當其處于關斷狀態,而反并二極管正在反向恢復過程時,就會有很大的dv/dt加
于CE兩端。由于密勒電容的存在,該dv/dt將在電容上產生瞬間電流,流向柵極驅動電路。該電流與Rg作用,如果Rg值偏大,使Vge超過IGBT開通門限電壓值,器件就會被誤觸發導通。
3.3.2 柵極過壓的處理
在柵射間并接入一個柵射電阻可以解決這個問題。另外,為了防止柵極驅動電路出現高壓尖峰,我們在柵射間并接兩只反向串聯的穩壓二極管,其穩壓值與正柵壓和負柵壓相同。這樣可以保證柵射電壓的穩定,并且能有效地將密勒電容產生的電流通過柵射電阻釋放,達到柵極過壓保護的目的。
4 電路設計
4.1 電路說明
驅動電路如圖4所示,整個驅動端電路采用6N137光耦隔離,單電源供電,通過一個5V的穩壓管D5完成0V和-5V之間的轉換,用一個電源實現了正負電源的功能。D6、D7、R2構成柵極過壓保護電路。重要的元件如圖中編號所示。D3、D4是快恢二極管,D1、D2是穩壓值不同的齊納穩壓管。
4.1.1 正常工作時
驅動信號通過光耦送入驅動電路,通過RS觸發器的置位引腳啟動電路。開通時,兩個過流保護的延時電路電容C1、C2開始充電,此時推挽電路也將Vg提高到正柵壓,IGBT導通,VCE很快下降為導通壓降,當C1、C2電壓高于VCE時,D3、D4導通,C1、C2電壓被鉗位,不再上升,也就不會將D1、D2擊穿,電路正常工作。關斷時, C3已經被充電,與C3串聯的二極管截止,推挽電路輸出低電平,由于D5的原因,柵壓變為-5V,將IGBT關斷。
正常工作時比較重要的是C1、C2及其充電電阻的選擇,時間常數不能太小,否則會在IGBT開通前將D1、D2擊穿進入過流保護狀態。也不能過大,否則在過流時會因為動作時間過長而損壞器件。
4.1.2 過流降柵壓運行
一但IGBT過流,VCE急劇上升,超過了C1、C2的鉗位電壓,D3、D4反向阻斷,C1、C2開始充電,當C1的電壓高于了D1的擊穿電壓(D1擊穿電壓低于D2)時,D1反向擊穿,T1導通,與T1串聯的穩壓管投入電路工作,將此時的柵壓降低,實現降壓運行。
4.1.3 短路緩慢關斷
控制C2電壓上升和D2的擊穿電壓之間的關系,調整D1、D2相繼擊穿的時間差約為10 ,如果10 內電流恢復正常,那VCE會再降低,D3又導通,C1、C2電壓鉗位到低電平。恢復正常工作。而如果是短路發生,C2的電壓會持續上升,直至擊穿D2,導通T2,C3馬上通過R1和T2放電,柵壓開始緩慢降低,降低的速率由C3和R1的時間常數決定,當C3的電壓降低到低電平時,改變RS觸發器狀態,將6N137封鎖,輸出低電平,完全關斷IGBT,從而實現了短路時柵極電壓的緩慢降低,緩慢關斷了IGBT。
這個過程中比較關鍵是兩個保護電路的延時電路參數的選取。具體IGBT的保護時間設置有很多選擇,可以改變電阻電容的組合,也可以改變穩壓管的擊穿電壓,通過實驗能得到很好的效果,以滿足不同IGBT使用的需要。 (歡迎來電咨詢 網址:http://www.cntjjp.com.cn 變頻器維修|電話:15515598858)
4.2 短路保護實驗
試驗電路如圖5所示,先將電容充電,然后啟動驅動電路,可以觀察短路保護時的波型如圖6所示。其中1是柵極電壓波型,2是VCE波型,3、4分別是RS觸發器兩個輸出的波型。
從圖中可見,向驅動電路發出啟動信號后,RS觸發器輸出反向,柵極電壓上升到開通電壓,而VCE由于電容通過IGBT放電,電壓猛降,此時,IGBT中流過的電流相當大,處于過流的狀態,經過大概10 的時間,保護電路開始作用,IGBT進入降壓運行階段,從圖中看出,此時從IGBT流過的電流已經明顯減小,從電阻流入的電流已經將電容的電壓又補充回去,但此時的電流仍然很大,故再經過大約10 的時間,電路進入關斷階段,柵極電壓開始以一定的斜率下降,趨勢很平緩,當柵極電壓降到邏輯低的電壓值時,觸發器狀態變化,驅動電路封鎖,如圖,此時如果要重新開啟電路,需要再給出啟動信號。從短路測試中可以看出,該電路能夠有效地在過流的時候完成降壓運行和緩慢關斷的任務,為IGBT的正常工作提供保障。
5 結語
該驅動電路具有隔離驅動,過流保護,過柵壓保護等特點。如果希望電路能正常工作,重要元件的參數需要認真選擇,特別是Rg值的選取,在電路上可對Rg部分進行改進,利用二極管分別在開通和關斷時得到不同Rg值。另外,該驅動電路只能對過流和柵極過壓起保護作用,對VCE的過壓保護需要在主電路中加入緩沖保護電路,才能保證器件的可靠工作。
目前該電路結合DSP控制芯片在逆變裝置中表現得非常出色,證明
了電路的簡單、有效,是驅動IGBT的一個的比較好的選擇。鄭州變頻器 專業銷售維修變頻器、鄭州直流調速器維修、鄭州軟啟動器維修、鄭州PLC(可編程序控制器)、 維修電話:0371- 56700815 15515598858