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技術資訊
任何電子控制設備,都需要電源供應。有些設備具有自備電源,有些設備,如溫度、壓力傳感器等,則需另外配用適宜的電源——DC24V電源。隨著各類傳感器在工業控制領域的大量應用,相應的電源產品的供給也形成了一定的
1、ZX7-315逆變焊機的主電路整流電路和控制電源電路〔整流主電路、電容預充電控制電路〕3相電源經電源開關(空氣斷路器)QF1引入,輸入由3塊橋式整流模塊組成的3相橋式整流電路中。繼電器KA1和兩只功率電阻形為電容預充電
四:對一些異常現象的分析思路和實例了解晶體管的電參數,是為了用好晶體管。什么叫用好晶體管?是一個智者見智,仁者見仁的問題,我相信不會有唯一的答案。我想,作為電子應用工程師,除了對晶體管有所了解,還必須對其它的電子元
電容器的參數與分類參數1. 標稱電容量(CR)。電容器產品標出的電容量值。云母和陶瓷介質電容器的電容量較低(大約在5000pF以下);紙、塑料和一些陶瓷介質形式的電容器居中(大約在0.005uF~1.0uF);通常電解電容器的容量較大。這是
一、極限參數所謂極限參數,是指在晶體管工作時,不管因何種原因,都不允許超過的參數。這些參數常規的有三個擊穿電壓(BV)、*大集電極電流(Icm)、*大集電極耗散功率(Pcm)、晶體管工作的環境(包括溫度、濕度、電磁場、大氣壓等)、
二、直流參數(DC)常規的直流參數有:三個反向漏電流(Iceo、Icbo、Iebo)、兩個飽和壓降(Vces、Vbes)、共發射極放大(Hfe或β)。分述如下。1、 晶體管反向漏電流定義:在PN結兩端加一定值反向直流電壓,此時檢測到的電流,即為被測晶體
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個P型層。根據國際電工委員會的文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。 IGBT的結構剖面圖如圖1-1所示,IGBT在結構上類似于MOS
如果是經常維修某一種或幾種品牌的變頻器,手頭應該有其CPU主板與電源/驅動板連接排線的端子圖,有了它,檢修工效會大為提高。變頻器控制電路的重要信號和電源供應,都是通過端子排來傳輸的。 圖1 DSP主板與電源/驅動板的信
金屬-氧化物-半導體型場效應管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(*高可達1015Ω)。它
本例開關電源電路(以中達VFD-B型22kW實際電路為原型),根據電路結構特點,可以分為振蕩與穩壓控制電路、推動級和逆變輸出級三部分,劃分故障范圍和維修。開關電源故障的檢修難點和要點,是判斷UC284x系列振蕩芯片的工作狀態,是